• Pin mặt trời dị thể trên nền Silic hiệu suất cao; 
• Pin mặt trời màng mỏng;
• Màng dẫn điện trong suốt ứng dụng trong pin mặt trời và TFT;
• Pin mặt trời có cấu trúc tandem;
• Linh kiện NVM và TFT

CHỦ NHIỆM ĐỀ TÀI, DỰ ÁN

• Pin mặt trời dị thể Silicon với kim loại chuyển tiếp đóng vai trò trích xuất hạt tải lỗ trống: Cơ chế truyền dẫn hạt tải, Mã số: 103.02-2017.43 – NAFOSTED – Đã nghiệm thu (Silicon Heterojunction Solar Cell with Transition Metal Oxide Hole Collector: Carrier Transport Mechanisms, Reference code: 103.02-2017.43 – Nafosted - finished)
• Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si, SKHCN TPHCM (Fabrication of the a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells, Department of Science and Technology Ho Chi Minh City)

GIẢI THƯỞNG

• Giải nhất: Sinh viên nghiên cứu khoa học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia TP. Hồ Chí Minh năm 1999; The best prize: Student with Scientific Research, College of Science, Vietnam National University Ho Chi Minh City, Vietnam (1999)
• Giải ba: Sinh viên nghiên cứu khoa học, Bộ Giáo dục và đào tạo năm 2000; The third prize: Vifotec Creation, Hochiminh City Research Foundation (2000)
• Giải ba: Quỹ hỗ trợ sáng tạo kỹ thuật Việt Nam – VIFOTEC năm 2000; The third prize: Scientific Research, Ministry of Education, Science and Technology, Vietnam Government (2000)
• Giải khuyến khích: Giải thưởng Sinh viên nghiên cứu khoa học Euréka năm 2000. Consolation prize: Eureka, Vietnam National University Ho Chi Minh City (2000) 

​​​​​​​CÔNG TRÌNH KHOA HỌC

​​​​​​​https://scholar.google.com/citations?hl=vi&user=sgjXp24AAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate